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場效電晶體
鐵路特考｜
12/18/2019
場效電晶體
場效電晶體(FET)是三端元件，類似雙極性接面電晶體。然而FET是單極性元件，其極性由電荷載子的型態決定，不是電子就是電洞。基本上有兩種型態的FET：接面場效電晶體，簡稱JFET，及金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱MOSFET。
不像雙極性電晶體是電流控制元件，FET是電壓控制元件，即電壓控制輸出電流，FET的輸入阻抗是極高的(數百萬歐姆級)，因此，所需之電源功率非常低。它們的高輸入阻抗是有時候比雙極性電晶體更優良的原因之一。
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共集極放大器
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12/18/2019
共集極放大器
共集極放大器是用來提供電流增益與功率增益。電壓增益近似於1。共集極放大器的輸入與輸出端的共同端點，輸入信號加在基極，而輸出信號則取自射極。在射極的輸出端信號與加在基極的輸入信號是同相的。因為輸出信號跟隨輸入信號，故共集極放大器通常...
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放大器的交連
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12/18/2019
放大器的交連
放大器與放大器之間，為了因應各種不同的需求，有著不同的交連方式，首先是R-C交連，其優點有，結構簡單、成本低、中頻響應佳，而缺點是，電阻性負載直流功率損失大、前後級之間阻抗匹配不易而效率低、交連電容產生低頻增益衰減，如要將放大器系...
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共射極放大器
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12/18/2019
共射極放大器
電晶體的偏壓須以直流電壓和電流處理。直流偏壓的目的是要建立所需之Q點，使得當交流信號當作輸入而加入放大器時，能夠獲得正確的基極與集極變化。交流信號驅使放大器操作點在所設計的Q點上下之振動，因而產生一交流輸出電壓。加入放大器的輸入信...
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崩潰區
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12/18/2019
崩潰區
當集-基電壓太大時，集-基二極體會崩潰，而造成一個異常過大的集極電流，這就是在崩潰區。在電晶體電路中應該避免在此區域運作。電晶體在正常適當的電路設計中，是假設不會發生崩潰現象。
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蕭基二極體
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12/18/2019
蕭基二極體
蕭基二極體是由n型矽質材料與金屬(通常為黃金)組成。因為沒有p型材料，在矽與金屬的接面上實際並無電容存在。由於這種獨特的二極體結構，這種二極體能夠比一般矽質整流器更快速的作導通與截止的開關變換。蕭基二極體的主要目的就在作為高速開關元...
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稽納二極體
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12/18/2019
稽納二極體
稽納二極體是一種特殊的二極體，其最佳的操作區是在崩潰區。這些條件不同於一般整流二極體，它們絕不可在或接近崩潰區操作。電壓調整能是稽納二極體最普遍的應用。稽納二極體與電源供應器的負載端並聯連接。無論負載電流如何改變，稽納電壓仍保持定值...
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截波器
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12/18/2019
截波器
一個截波電路至少需要二種基本元件，二極體與電阻器。不過直流電池也是常被用到的。只要交換各個元件的位置以及改變直流電池的大小就可以在不同的地方截掉輸出波形。
這一類的網路來說，要決定二極體的狀態時考慮時變輸入訊號的某一瞬時值通常很有...
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倍壓器
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12/18/2019
倍壓器
倍壓器是一種可提供直流輸出電壓為輸入電壓峰值之倍數的電路。在有時候需要很高的直流電壓但負載卻很輕，此時可以採用倍壓器，此種電路可供應數倍於變壓器最高電壓的直流輸出給負載，如下圖所示，為二倍壓器，其輸出電壓為2Vm。
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全波整流器
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12/18/2019
全波整流器
若能得到一項比半波整流訊號得的大些的直流電壓(在和最大電壓相比時而言)將較理想。此外，我們注意到雖然用一個半波整流器可以得出一項平均電壓來，但是有半週內是完全沒有電壓的。若是如下圖所示，用兩個二極體的話，就可以將一個弦式訊號整流而在...
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半波整流器
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12/18/2019
半波整流器
這一類的整流網路最常用於弦式交流訊號(平均值為零)，變換成具有正或負平均(直流)階層的脈動波行。再經過濾波作用，就可以得到十分穩定的直流電壓來供應一個系統內部所需的直流，而不需再由外在的直流電源來供應。
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崩潰電壓額定值
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12/18/2019
崩潰電壓額定值
逆向崩潰電壓額定值是非常重要的，因為如果超過額定值，二極體經常會被破壞，崩潰電壓 是發生突崩現象時的電壓。而此額定值可以下列任何一種方式表示：逆向峰值電壓(PIV或PRV)；崩潰電壓額定值；或最大逆向峰值電壓。尚有其它表示崩潰電...
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第 1 至 12 筆, 共 1124 筆
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