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100年鐵路特考

科目(佐級)電子學大意-命中率80%

三民輔考本期基本電學講義教材以題型帶觀念,在熟悉考題題型的同時幫助同學釐清基本電學的重要觀念。而100年鐵路佐級考題,本教材單元內容命中事實100%!!此次考題單元分配如下:

電的基本概念  8 
R串、並及串並網路  6 
直流電路  6 
靜電、電容及磁學、電感  11 
交流電路  5 
諧振、暫態及三相電路  4 

 

【C】1.有關DRAM(動態隨機存取記憶體)與 SRAM(靜態隨機存取記憶體)的敘述,下列何者正確?(A)SRAM需要重新充電(refresh) (B)單一晶胞的電路 DRAM 比 SRAM 複雜 (C)DRAM 結構需用到電容效應 (D)DRAM 屬非揮發性記憶體

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.128

 

【D】3.關於理想運算放大器之敘述,下列何者正確?(A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗無限大 (C)差動增益(Differential-mode Gain)為 0 (D)共模增益(Common-mode Gain)為 0

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.96

 

【C】4.圖示電路為何種濾波器?(A)高通 (B)帶通 (C)低通 (D)帶拒

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.61

 

【C】5.圖中電路之功能為:(A)帶拒濾波器 (B)高通濾波器 (C)低通濾波器 (D)帶通濾波器

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.31

 

【A】6.對於理想電流放大器(Current Amplifier)特性之敘述,下列何者正確?(A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸入阻抗無限大 (D)輸出阻抗與電壓放大器特性相同

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.91

 

【A】7.在雙極性接面電晶體共射極組態中,理想小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc 進入基極,電容 Cc 之目的為:(A)隔離放大器與電源間的直流 (B)增加輸出阻抗 (C)隔離交流訊號 (D)隔離雜訊

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.46

 

【B】8.雙極性接面電晶體(BJT)若工作於作用區(Active-Region),其偏壓需滿足下列何種條件?(A)基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為順向偏壓 (B)基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為反向偏壓 (C)基-射極接面為反向偏壓,基-集極接面為順向偏壓 (D)基-射極接面為反向偏壓,基-集極接面為反向偏壓

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.33

 

【D】9.下列何者為齊納(Zener)二極體作為穩壓用時的工作區域?(A)Ⅰ (B)Ⅱ (C)Ⅰ及Ⅱ (D)Ⅲ

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.15

 

【B】10.利用浮動閘極電晶體(Floating-Gate Transistor)的記憶細胞(Memory Cell)為:(A) SRAM(靜態隨機存取記憶體) (B) EPROM(可擦式及可程式唯讀記憶體) (C) DRAM(動態隨機存取記憶體) (D) ROM(唯讀記憶體)

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.129

 

【B】11.圖為射極耦合邏輯(Emitter-Coupled Logic,ECL)電路。其中VⅠ為輸入,VO1、VO2為輸出,VCC為電壓源,VR為參考電壓,Ⅰ為偏置電流源(Bias Current Source)。當IC1/IC2>99 時,VO1為邏輯“0"。則其輸入電壓VⅠ為:(方程式中,VT=0.025V)(A)VR-VTln(99) (B)VR+VTln(99) (C)VR+99VT (D)VR-99VT

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.93

 

【C】13.關於圖中振盪器之敘述,何者錯誤?(A)輸出信號(Vo)近似為方波 (B)R1越大振盪頻率越低 (C)R2越大振盪頻率越低 (D)R3越大振盪頻率越低

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.119

 

【A】14.如圖電路,下列何者為錯誤?(A)此電路為一階低通濾波器 (B)低頻訊號增益為1+ (C)高頻截止頻率為
(D)頻率響應圖為Av=Vo / Vi


 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.121

 

【C】15.關於圖中電路,下列敘述何者正確?(A)此為低通濾波器 (B)此為高通濾波器 (C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.31

 

【C】18.圖中電路,若運算放大器為理想,則Ii值為何?(A) 0.25 mA (B) 1 mA (C) 4 mA (D) 5 mA

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.111

 

【A】19.圖示理想運算放大器電路,若R1=2kΩ、R2=6kΩ、R3=3kΩ、R4=6kΩ,今輸入訊號vI=1mV,則輸出電壓vo為若干mV?(A)-8 (B)-6 (C) 6 (D) 8

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.101、104

 

【A】20.圖為含射極電阻RE的差動放大器(Differential Amplifier)。其中RC1=RC2=8kΩ,RE=100Ω,IB1=IB2=0.5mA,電晶體的β為 100。則差動放大器的差模電壓增益約為:(A) 80 (B) 75 (C) 60 (D) 40

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.95

 

【B】21.共射極(CE)電晶體放大電路中,RE為射極端外接電阻,hie為B與E間內阻。則此電晶體輸入阻抗值:(A)接近RE(B)遠大於RE(C)接近hie(D)遠小於hie

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.53

 

【B】22.如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β (=Ic / Ib)為210,以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ,則此放大器的電壓增益AV (=Vo / Vi)約為多少?(A)-100 (B)-200 (C)-300 (D)-400

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.52

 

【C】23.P-通道增強型(Enhancement Type)MOSFET通道導通的條件是(VTH:臨限電壓):(A)VGS=0 (B)VGS>VTH (C)VGS<VTH (D)VGS>0

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.73

 
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【A】24.下列那一種的直流偏壓方式不適用空乏型 MOSFET?(A)汲極回授偏壓 (B)自給偏壓 (C)分壓偏壓 (D)固定偏壓

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.80

 

【D】25.如圖所示為一個交流等效電路,其輸入阻抗(Zin=Vi / Ib )為:(A)rπ+RE (B)rπ (C)rπ((1+β)RE) (D)rπ+(1+β)RE

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.53

 

【B】26.如圖的全波整流器電路,各二極體導通之VD=0.7V。若輸入電壓VI之峰對峰(Peak-to-Peak)為12V之正弦波,則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為:(A) 12V (B) 11.3V (C) 10.6V (D) 9.2V

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.24

 

【C】27.在室溫下,加熱一矽半導體,若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大,則可推測該矽半導體最可能是:(A)n+型半導體 (B)p+型半導體 (C)純矽半導體 (D)無從推測

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.26

 

【B】29.將硼(B)元素摻進純矽晶體中,則成為何種型別的半導體?(A) N 型 (B) P 型 (C)空乏型 (D)增強型

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.5

 

【C】31.圖中振盪器,C1=10μF,C2=20μF,L=100nH,R=10kΩ。電晶體的跨導(Transconductance,gm)需約為多少才能維持振盪:(A) 20mA/V (B) 2mA/V (C) 0.2mA/V (D) 0.02mA/V

 

命中事實:
電子學FAEM0-2 P.5

 

【A】32.關於之敘述,何者正確?(A)此為低通濾波器 (B)此為帶通濾波器 (C)其高頻增益為 (D)R1越大則低頻-3 dB頻率越低

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.121

 

【D】33.由理想運算放大器組成的電路,如圖所示。其中R1=R2=10kΩ,負載電阻R L=20kΩ。若輸入電壓VIN=2V,則負載電壓VL為何?(A) 0.5V (B) 1V (C) 2V (D) 4V

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.111

 

【B】34.圖示理想運算放大器電路,若輸出電壓vO=2(v1-v2),則:(A)R1=2kΩ、R2=4kΩ、R3=10kΩ、R4=10kΩ (B)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=5kΩ、R4=10kΩ (C)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=3kΩ、R4=4kΩ (D)R1=2kΩ、R2=3kΩ、R3=3kΩ、R4=8kΩ

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.107

 

【C】35.圖中分壓式偏壓的MOSFET電路中,Zi及Zo分別代表輸入及輸出阻抗,rd為MOSFET小訊號模型汲極區域內電阻,下列敘述何者正確?(A)Zi=R1+R2,Zo=RD (B)Zi=(R1 R2) / (R1+R2),Zo=RD (C)Zi=(R1 R2) / (R1+R2),Zo=rd RD / ( rd+RD) (D)Zi=R1+R2,Zo=rd RD / ( rd+RD)

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.84

 

【B】37.PN接面二極體,P型的雜質濃度為NA,N型的雜質濃度為ND,接面處P型的空乏區寬度為XP,N型的空乏區寬度為XN,若NA>ND,則下列敘述何者為正確?(A)XP>XN (B)XP<XN (C)XP=XN (D)NAXP>NDXN

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.7

 

【C】38.設VBE=0.7V,則圖中的電流IC約為:(A) 10.0mA (B) 6.0mA (C) 4.3mA (D) 3.8mA

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.49

 

【D】40.某場效電晶體AV 對頻率f曲線如圖,其頻帶寬(BW)之定義為:(A)BW=f4-f1 (B)BW=f4-f3 (C)BW=f2-f3 (D)BW=f2-f1

 

命中事實:
電子學FAEM0-1 P.61

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