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100年鐵路特考 |
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科目：
(佐級)電子學大意-命中率80%
三民輔考本期基本電學講義教材以題型帶觀念，在熟悉考題題型的同時幫助同學釐清基本電學的重要觀念。而100年鐵路佐級考題，本教材單元內容命中事實100%!!此次考題單元分配如下：
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電的基本概念 |
佔 8 題 |
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R串、並及串並網路 |
佔 6 題 |
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直流電路 |
佔 6 題 |
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靜電、電容及磁學、電感 |
佔 11 題 |
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交流電路 |
佔 5 題 |
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諧振、暫態及三相電路 |
佔 4 題 |
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【C】1.有關DRAM（動態隨機存取記憶體）與
SRAM（靜態隨機存取記憶體）的敘述，下列何者正確？(A)SRAM需要重新充電（refresh）
(B)單一晶胞的電路 DRAM 比 SRAM 複雜 (C)DRAM 結構需用到電容效應 (D)DRAM
屬非揮發性記憶體 |
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.128 |
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【D】3.關於理想運算放大器之敘述，下列何者正確？(A)輸入阻抗為 0
(B)輸出阻抗無限大 (C)差動增益（Differential-mode Gain）為 0
(D)共模增益（Common-mode Gain）為 0 |
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.96 |
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【C】4.圖示電路為何種濾波器？(A)高通 (B)帶通 (C)低通 (D)帶拒
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.61 |
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【C】5.圖中電路之功能為：(A)帶拒濾波器 (B)高通濾波器 (C)低通濾波器
(D)帶通濾波器
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.31 |
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【A】6.對於理想電流放大器（Current
Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？(A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗為 0 (C)輸入阻抗無限大
(D)輸出阻抗與電壓放大器特性相同 |
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.91 |
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【A】7.在雙極性接面電晶體共射極組態中，理想小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc
進入基極，電容 Cc 之目的為：(A)隔離放大器與電源間的直流 (B)增加輸出阻抗 (C)隔離交流訊號
(D)隔離雜訊 |
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.46 |
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【B】8.雙極性接面電晶體（BJT）若工作於作用區（Active-Region），其偏壓需滿足下列何種條件？(A)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為順向偏壓
(B)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為反向偏壓 (C)基－射極接面為反向偏壓，基－集極接面為順向偏壓
(D)基－射極接面為反向偏壓，基－集極接面為反向偏壓 |
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.33 |
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【D】9.下列何者為齊納（Zener）二極體作為穩壓用時的工作區域？(A)Ⅰ
(B)Ⅱ (C)Ⅰ及Ⅱ (D)Ⅲ
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.15 |
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【B】10.利用浮動閘極電晶體（Floating－Gate
Transistor）的記憶細胞（Memory Cell）為：(A) SRAM（靜態隨機存取記憶體） (B)
EPROM（可擦式及可程式唯讀記憶體） (C) DRAM（動態隨機存取記憶體） (D) ROM（唯讀記憶體） |
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.129 |
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【B】11.圖為射極耦合邏輯（Emitter-Coupled
Logic，ECL）電路。其中VⅠ為輸入，VO1、VO2為輸出，VCC為電壓源，VR為參考電壓，Ⅰ為偏置電流源（Bias
Current Source）。當IC1/IC2>99
時，VO1為邏輯“0＂。則其輸入電壓VⅠ為：（方程式中，VT＝0.025V）(A)VR－VTln(99)
(B)VR＋VTln(99) (C)VR＋99VT (D)VR－99VT
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.93 |
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【C】13.關於圖中振盪器之敘述，何者錯誤？(A)輸出信號（Vo）近似為方波
(B)R1越大振盪頻率越低 (C)R2越大振盪頻率越低 (D)R3越大振盪頻率越低
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.119 |
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【A】14.如圖電路，下列何者為錯誤？(A)此電路為一階低通濾波器
(B)低頻訊號增益為1＋
(C)高頻截止頻率為
(D)頻率響應圖為Av＝Vo / Vi
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.121 |
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【C】15.關於圖中電路，下列敘述何者正確？(A)此為低通濾波器
(B)此為高通濾波器 (C)此為帶通濾波器 (D)此為帶拒濾波器
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.31 |
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【C】18.圖中電路，若運算放大器為理想，則Ii值為何？(A) 0.25 mA
(B) 1 mA (C) 4 mA (D) 5 mA
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.111 |
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【A】19.圖示理想運算放大器電路，若R1＝2kΩ、R2＝6kΩ、R3＝3kΩ、R4＝6kΩ，今輸入訊號vI＝1mV，則輸出電壓vo為若干mV？(A)－8
(B)－6 (C) 6 (D) 8
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.101、104 |
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【A】20.圖為含射極電阻RE的差動放大器（Differential
Amplifier）。其中RC1＝RC2＝8kΩ，RE＝100Ω，IB1＝IB2＝0.5mA，電晶體的β為
100。則差動放大器的差模電壓增益約為：(A) 80 (B) 75 (C) 60 (D) 40
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.95 |
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【B】21.共射極（CE）電晶體放大電路中，RE為射極端外接電阻，hie為B與E間內阻。則此電晶體輸入阻抗值：(A)接近RE(B)遠大於RE(C)接近hie(D)遠小於hie |
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.53 |
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【B】22.如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數β (＝Ic
/ Ib)為210，以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ，則此放大器的電壓增益AV (＝Vo /
Vi)約為多少？(A)－100 (B)－200 (C)－300 (D)－400
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.52 |
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【C】23.P－通道增強型（Enhancement
Type）MOSFET通道導通的條件是（VTH：臨限電壓）：(A)VGS＝0 (B)VGS＞VTH
(C)VGS＜VTH (D)VGS＞0 |
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命中事實：
電子學FAEM0-1 P.73 |
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之敘述，何者正確？(A)此為低通濾波器
(B)此為帶通濾波器 (C)其高頻增益為
(D)R1越大則低頻－3 dB頻率越低
