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98年中華電信工務類 |
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科目:電子學 |
選擇題1 |
對於一個線性一階低通濾波的電壓放大器而言,若其直流增益為0db;轉角頻率為1000赫,則下列何者正確? |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點八
單元十二 P.113)
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選擇題2 |
在BJT電晶體中,有關Early效應(Early effect)的敘述,何者正確?
(1)當基極(base)射極(emitter)間輸入電壓小時,集極(collector)電流將太早進入飽和區
(2)在固定基極射極間輸入電壓時,提高集極射極間電壓將使有效的基極寬度縮減
(3)在固定基極射極間輸入電壓時,提高集極射極間電壓將使基極電流太早進入飽和區
(4)在固定基極射極間輸入電壓時,提高基極射極間電壓將使集極電流增加 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點四
單元四 P.34) |
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選擇題3 |
有關BJT電晶體與金氧半場效電晶體電路的敘述,下列何者正確?
(1)因BJT無絕緣層的阻礙,因此BJT比MOSFET適合作為開關使用
(2)BJT比MOSFET不適合製作記憶體
(3)BJT的基體效應比MOSFET的大
(4)MOSFET的iD與VGS的關係為指數型式 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點一
單元九 P.68) |
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選擇題4 |
有關運算放大器轉換速度的敘述,下列何者錯誤?
(1)轉換速度一般皆以每微秒若干伏表示
(2)轉換速度的倒數就是頻寬
(3)轉換速度所代表的就是運算放大器對輸入信號響應的速度上限
(4)若運算放大器可用時間常數為τ的一階
低通濾波器表示,且小信號步階輸入的振幅為V,V/τ不大於SR,則輸出電壓將以V/τ的速度上升 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點二
單元十二 P.92) |
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選擇題5 |
有關金氧半場效電晶體的敘述,下列何者正確?
(1)在放大器的應用中,為了提高增益常採共源極的電路
(2)在高頻應用中常採用共閘極電路
(3)在需低輸入阻抗的應用中常採用共洩級電路
(4)在需低輸出阻抗的應用中常採用共閘極電路 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點四
單元九 P.73) |
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選擇題6 |
以NMOS電晶體作線性放大器,下列敘述何者正確?
(1)直流偏壓點(dc bias point或quiescent point)越接近洩極電源電壓VDD越好
(2)負載線(load line)唯一斜率為正的直線
(3)負載線必過(VDS=VDD,iD=0)之點
(4)在共源極(commmon source)的電路中,輸入電壓VGS越大,則VDS也越大 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點二
單元九 P.69) |
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選擇題7 |
將一個共射(CE)電晶體的集極端,接至一個共基(CB)電晶體的射極端,而形成的疊接放大器其主要的功用係提供? |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點七
單元四 P.37) |
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選擇題8 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點四
單元十二 P.100) |
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選擇題9 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點三
單元十二 P.96) |
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選擇題10 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點三
單元十二 P.98)
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選擇題11 |
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電子學 FAEM8-2 (第二章 加強單元二
P.14) |
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選擇題12 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點三
單元十二 P.96) |
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選擇題14 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點四
單元九 P.76) |
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選擇題15 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點二
單元三 P.23) |
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選擇題16 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點一
單元十 P.81) |
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選擇題17 |
一個放大器可藉由負回授來提升或降低放大器的輸入電阻及輸出電阻,若要具有高的輸入電阻極低的輸出電阻,應採用的回授組態為:
(1)並-並(shunt-shunt)
(2)並-串(shunt-series)
(3)串-並(series-shunt)
(4)串串(series-series) |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點二
單元十 P.84)
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選擇題18 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點四
單元五 P.47)
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選擇題19 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點四
單元九 P.77) |
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選擇題20 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點二
單元九 P.72) |
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問答題1 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點一
單元十一 P.87) |
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問答題2 |
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電子學精華(一) FAEM8-1 (重點四
單元九 P.74&77) |
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